| 产品特性：大功率 | 品牌：VBsemi/微碧半导体 | 型号：2SJ327-Z-E1-AZ |
| 封装：TO252 | 批号：23+ | FET类型：增强型 |
| 漏源电压（Vdss）：-60V | 漏极电流(Id)：-30A | 漏源导通电阻(RDS On)：61mΩ@-10V |
| 栅源电压(Vgs)：±20V | 栅极电荷(Qg)：10 | 反向恢复时间：/ |
| 最大耗散功率：34mW | 配置类型：P沟道 | 工作温度范围：/ |
| 安装类型：/ | 应用领域：***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
技术参数
| 品牌： | VBsemi/微碧半导体 |
| 型号： | 2SJ327-Z-E1-AZ |
| 批号： | 23+ |
| 封装： | TO252 |
| 沟道类型： | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | -60V |
| 漏极电流（Id）： | -30A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 61mΩ@-10V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±20V |
| 耗散功率（W）： | 34 |
品牌介绍
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、***/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
