产品特性:大功率 | 品牌:VBsemi/微碧半导体 | 型号:2SJ245S |
封装:TO252 | 批号:23+ | FET类型:增强型 |
漏源电压(Vdss):-60V | 漏极电流(Id):-30A | 漏源导通电阻(RDS On):61mΩ@-10V |
栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):10 | 反向恢复时间:/ |
最大耗散功率:34mW | 配置类型:P沟道 | 工作温度范围:/ |
安装类型:/ | 应用领域:***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
技术参数
品牌: | VBsemi/微碧半导体 |
型号: | 2SJ245S |
批号: | 23+ |
封装: | TO252 |
沟道类型: | P沟道 |
漏源电压(Vdss): | -60V |
漏极电流(Id): | -30A |
漏源导通电阻(RDS On): | 61mΩ@-10V |
栅源电压(Vgs): | ±20V |
耗散功率(W): | 34 |
品牌介绍
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、***/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居