深圳市微碧半导体有限公司
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晶体管UTT15P06G-TN3-R-VB TO252封装微碧半导体MOS管芯片场效应管

产品标签  | 场效应管 MOS管 UTT15P06G-TN3-R-VB 晶体管 微碧半导体

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晶体管UTT15P06G-TN3-R-VB TO252封装微碧半导体MOS管芯片场效应管

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    产品特性：大功率品牌：VBsemi/微碧半导体型号：UTT15P06G-TN3-R-VB
    封装：TO252批号：25+FET类型：增强型
    漏源电压（Vdss）：-60V漏极电流(Id)：-30A漏源导通电阻(RDS On)：61mΩ@10V,5A
    栅源电压(Vgs)：标准栅极电荷(Qg)：10nC@10V反向恢复时间：标准
    最大耗散功率：34000mW配置类型：single工作温度范围：-55℃~+175℃@(Tj)
    安装类型：表面贴片应用领域：网络通信、 安防设备、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源









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