深圳市微碧半导体有限公司
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微碧半导体BSC032N03S G-VB场效应管QFN8(5X6)MOS管芯片晶体管

产品标签  | 场效应管 MOS管 BSC032N03SG-VB 晶体管 微碧半导体

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微碧半导体BSC032N03S G-VB场效应管QFN8(5X6)MOS管芯片晶体管

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    产品特性：大功率品牌：VBsemi/微碧半导体型号：BSC032N03S G-VB
    封装：QFN8(5X6)批号：24+FET类型：MOS
    漏源电压（Vdss）：30V漏极电流(Id)：160A漏源导通电阻(RDS On)：1.8mΩ@VGS=10V
    栅源电压(Vgs)：2V栅极电荷(Qg)：标准反向恢复时间：标准
    最大耗散功率：标准mW配置类型：single工作温度范围：标准
    安装类型：表面贴片应用领域：汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源









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