产品特性:大功率 | 品牌:VBsemi/微碧半导体 | 型号:NTGD3148NT1G-VB |
封装:SOT23-6 | 批号:24+ | FET类型:增强型 |
漏源电压(Vdss):20V | 漏极电流(Id):4.8A | 漏源导通电阻(RDS On):22mΩ@4.5V,3.4A |
栅源电压(Vgs):±12V | 栅极电荷(Qg):1.8 | 反向恢复时间:/ |
最大耗散功率:1.4WmW | 配置类型:N+N沟道 | 工作温度范围:-55℃~+150℃@(Tj) |
安装类型:贴片 | 应用领域:***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
技术参数
品牌: | VBsemi/微碧半导体 |
型号: | VB3222 |
批号: | 23+ |
封装: | SOT23-6 |
沟道类型: | N+N沟道 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
漏极电流(Id): | 4.8A |
漏源导通电阻(RDS On): | 22mΩ@4.5V |
栅源电压(Vgs): | ±12 |
耗散功率(W): | 1.4 |